히스테리시스라 하면 이력 현상이라고 번역하던데

전기 소자에서도 동일하게 히스테리시스가 나타난다고 알고

있습니다.

조금 어려운 질문이 될 것 같은데, 답변을 부탁드립니다.

제가 MFC와 Methane 그리고 hydrogen 그리고 몇 가지

물질을 이용하여

CVD 방법으로 CNT growth를 하는 것을 봤는데요

거기서 MFC를 이용해서 벨브를 컨트롤하려면

상당히 미세한 컨트롤이 필요할 것 같습니다.

그런데 만약에 벨브 자체의 히스테리시스와

MFC 에 있는 히스테리시스 (이건 중요한 것은 아닌 듯 하지만)

때문에 컨트롤이 어렵지 않을까하는 걱정이 됩니다.

거의 상압에서 3인치 관에 300sccm의 gas를 흘리고

온도는 1000도 가량 되는 상태입니다.

벨브 컨트롤을 통해서 압력을 컨트롤할 생각입니다.

이 상태에서 최대한 정밀하게 컨트롤해야만 하는데

혹 가스가 역류할 경우 오버라이드 컨트롤을 넣어서

역류를 막는 시스템을 구현해야만 할 것 같습니다.

그리고 이렇게 구현한다고 할 때, 어떠한 식으로

시스템을 구현하는 것이 가장 좋을지요?

P 모드만 사용하는 것이 좋겠습니까?

그리고 또 하나의 질문은 히스테리시스란 정확하게 어떠한 것을

말하는 것인지 궁금합니다. 가령 전자 소자에서 Charge trap 의

발생으로 생기는 히스테리시스도 여기서 말하는 동일한 범주의

히스테리시스를 뜻하는 것인지요?

그리고 히스테리시스의 원인은 어떠한 것들이 있는지도

궁금합니다. 답변 부탁드립니다.