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Fabrication and Optical Characterization of AlGaN/InGaN Multiple Quantum Well Nanopillar Ultar Violet Light Emitting Diodes
윤재식, 김재관, 이지면
한국재료학회 2011년 봄 학술대회 |
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저온성장된 MgxNi1-xO 박막의 Mg 함량 변화에 따른 광학적 특성 변화
권용현, 조형균
한국재료학회 2010년 가을 학술대회 |
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Novel Activation by Electrochemical Potentiostatic Method
이학형, 이준기, 정동렬, 권광우, 김익현
한국재료학회 2009년 봄 학술대회 |
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구성 물질 변화에 따른 HEMT의 온도 변화
정영훈, 김지현, 고건우
한국화학공학회 2008년 가을 학술대회 |
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Growth Condition and Fabrication of Device for AlGaN/GaN Hetero-strucure by MOCVD
Jaehong Choi, Hyunkyu Park, Jihye Kim, Jinwoo Jung, Dongjin Byun
한국재료학회 2006년 봄 학술대회 |
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AlGaN/GaN 이종접합구조의 향상된 전기적 특성을 위한 성장 조건|Growth Condition for Improved Electrical Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures
최재홍, 강호재, 박현규, 이도한, 진정근, 변동진
한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
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AlGaN/GaN 이종접합구조의 Al 함량에 따른 I-V 특성.|I-V property of hetero-structure AlGaN/GaN as Al contents growth on the sapphire(0001) by MOCVD.
박현규, 진정근, 연대흠, 최재홍, 권영석, 이종한, 변동진
한국재료학회 2005년 가을 학술대회 |
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박막재료의 기계적 물성 평가 및 유한요소해석|Characterization of Thin Film Materials and Finite Element Analysis
송현수, 장성군, 김봉섭, 이수현, 조상봉, 윤존도
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성|Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
박현규, 강호재, 진정근, 연대흠, 최재홍, 김지원, 변동진
한국재료학회 2005년 봄 학술대회 |
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AlGaN/GaN 레이저 다이오드의 열 특성 분석|Analysis of thermal characteristics of AlGaN/GaN laser diode
황웅준, 이태희, 남옥현, 김형근, 곽준섭, 박용조, 신무환
한국재료학회 2004년 가을 학술대회 |
