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Highly reliable and low-energy operation by “Erase-free” based multi-bit performance in a HfO2 resistive switching device
Jin joo Ryu, Chunjoong Kim, Gun Hwan Kim
한국재료학회 2019년 봄 학술대회 |
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Ni 삽입을 통한 용액형 a-IGZO 저항변화메모리의 성능향상
이동윤, 김재균
한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
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Scanning probe microscopy on Fermi levels and energy band bendings in perovskite halides
William Jo
한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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산소결핍 제어를 통한 용액형 a-IGZO물질 기반 저항변화메모리 소자 제작 및 특성평가
이동윤, 김재균
한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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Organic-inorganic hybrid perovskite based nonvolatile resistive random access memory
허진혁, 최용규, 임상혁
한국화학공학회 2018년 봄 학술대회 |
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Resistive switching devices based on halide perovskites
장호원
한국공업화학회 2018년 가을 학술대회 |
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1-D nanowire-based complementary resistive switching behavior in polymer nanocomposite
김민성, 김영진, 방준하, 이상수
한국고분자학회 2017년 가을 학술대회 |
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Fully Transparent, Non-volatile Bipolar Resistive Memory Device Based on Flexible Copolyimide Layer
유환철, 김문영, 홍민기, 남기용, 최주영, 조수행, 정찬문
한국고분자학회 2017년 봄 학술대회 |
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High Performance Multiple-Patterned Plasmonic Nanostructures for Electronic Eye
김홍기, 이윤호, 이태경, 송인호, 곽상규, 오준학
한국화학공학회 2017년 봄 학술대회 |
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Retention and Endurance characteristics of TaOx ReRAM with multi-level switching
차익수, 주병권, 주현수
한국재료학회 2017년 봄 학술대회 |
