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번호	제목
69	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과\|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
68	GaN 성장을 위한 다양한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과\|Properties of various ion-implanted sapphire substrates for GaN epilayers 이재석, 진정근, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관, 김충열, 이현휘, 문영부 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
67	LTCC 저유전율 배선기판과 중유전율 기능성 기판사이의 물리적 화학적 매칭\|The physical and chemical matching between low-K and middle-K LTCC composition 박재환, 최영진, 박정현, 고원준, 제해준, 김병국, 박재관 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
66	Reactive scheduling in multiproduct batch plants with equipment-failure 하진국, 이의수 한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
65	기체-액체-고체 역유동층에서의 고체 분산 김현태, 강석환, 송평섭, 강 용, 김상돈 한국화학공학회 2003년 가을 학술대회
64	화학증착방법으로 성장시킨 탄화규소 나노와이어의 전기적 특성\|Eelectrical characteristics of SiC nanowires grown by CVD 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
63	기상증착방법에 의한 이산화규소 나노와이어의 성장\|Growth of SiO₂ nanowire by VS method. 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
62	SLS 성장방법에 의한 SiC 나노와이어의 성장\|Growth of SiC nanowires by SLS growth mechanism 노대호, 김재수, 변동진, 진정근, 김나리, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
61	기상증착법을 이용한 산화아연 나노로드의 성장\|Growth of ZnO nanorods by vapor-solid method 김나리, 김재수, 변동진, 노대호, 진정근, 양재웅 한국재료학회 2003년 가을 학술대회
60	이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성\|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111) 강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진 한국재료학회 2003년 가을 학술대회