화학공학소재연구정보센터
번호 제목
21 MOCVD법으로 버퍼층을 활용한 ZnO 박막 제조|Preparation of ZnO thin films by MOCVD using buffer layers
박재영, 이동주, 윤영수, 문종하, 이병택, 김상섭
한국재료학회 2004년 봄 학술대회
20 질화 처리된 (0001) 사파이어 기판에 성장한 산화 아연 박막의 물리적 특성 연구|Various nitride buffer effect of sapphire (0001) surface on the physical properties of ZnO thin films
서효원, 변동진, 최원국
한국재료학회 2004년 봄 학술대회
19 유기금속 화학기상 증착법을 이용한 높은 조성의 자발 형성 InGaN 양자점의 성장|Growth of self-assembled In-rich InGaN quantum dots by metalorganic chemical vapor deposition
Hee Jin Kim, Hyunseok Na, Yoori Shin, Soon-Yong Kwon, Keon-Hun Lee, Dong-Hyuk Kim, Ho-Sang Kwack, Ji-Young Kim, Yong Hoon Cho, Euijoon Yoon
한국재료학회 2004년 봄 학술대회
18 GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN
강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형
한국재료학회 2004년 봄 학술대회
17 Plasma source와 RF power에 따른 NiO 박막의 우선배향성 및 표면형상|The Evolution of Preferred Orientation and Morphology of NiO Thin Films under Variation of Plasma Source and RF Power
Hyunwook Ryu, Jinseong Park
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
16 공정조건에 따른 GaN나노와이어의 형상변화|Morphological variation in GaN nanowires with processing conditions
김대희, 박경수, 이정철, 성윤모
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
15 Hot wall epitaxy에의해 성장된HgCdTe 에피레이어의 광전기적특성|Opto-electrical properties for a HgCdTe epilayers grown by hot wall epitaxy
홍광준
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
14 (Bi,La)Ti3O12 강유전체 물질을 갖는 전계효과형 트랜지스터의 제작과 특성연구|Preparation and Properties of Field Effect Transistor with (Bi,La)Ti3O12 Ferroelectric Materials
서강모, 조중연, 장호정
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
13 초전도체 YBa2Cu3O 7-x (YBCO)와 금속 기판사이의 계면 문제 해결을 위한 CaRuO3 (CRO)의 전자 상태 계산|Electronic structure of CaRuO3 (CRO) for buffer layer between superconductor and metal substrates
백한종, 김양수, 노광수
한국재료학회 2003년 가을 학술대회
12 이축 배향화된 전도성 복합 산화물의 금속 기판의 제조와 분석|Fabrication and Characterization of Bi-axial Textured Conductive Perovskite-type Oxide Deposited on Metal Substrates for Coated Conductor.
Sooyeon Han, Jongin Hong, Youngah Jeon, Huyong Tian, Yangsoo Kim, Kwangsoo No
한국재료학회 2003년 가을 학술대회