번호 | 제목 |
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7 |
Application of Electric Field to Grow Bulk Single Crystals 왕종회, 임종인, 이경희 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회 |
6 |
Transient Point Defect Behavior in Czochralski-Grown Silicon Single Crystals 왕종회, 임종인, 이경희 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회 |
5 |
Dopant Segregation in Conventional Czochralski-Grown Silicon Single Crystals 왕종회, 임종인, 이경희 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회 |
4 |
열교환법 공정의 도가니 형태 변화가 사파이어 결정 온도와 고/액 계면에 미치는 영향 임수진, 왕종회, 임종인 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회 |
3 |
쵸크랄스키 실리콘 결정내 점결함의 동적거동|Transient Behavior of Point Defect in CZ Silicon Crystals 김광훈,최일수,왕종회,이홍우|Kwang Hun Kim,Il Soo Choi,Jong Hoe Wang,Hong Woo Lee 한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
2 |
쵸크랄스키 공정에서 결정직경에 미치는 성장변수의 영향|Effects of Growth Parameters on the Crystal Diameter in Czochralski Process 왕종회, 김도현|Jong Hoe Wang, Do Hyun Kim 한국화학공학회 1997년 가을 학술대회 |
1 |
SOI 소자 제조를 위한 ZMR 공정에 대한 모델링 왕종회, 김도현 한국화학공학회 1995년 봄 학술대회 |