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Control of the cellular growth in heavily red-Phosphorous doped silicon single crystal
송도원, 이호준, 김상희, 이홍우
한국화학공학회 2017년 봄 학술대회 |
| 8 |
Material Engineering for Perovskite Solar Cells
노준홍
한국고분자학회 2015년 봄 학술대회 |
| 7 |
Effect of Argon Gas Flow-Rate on Temperature Gradient at the Interface between Si Melt and Solid in Czochralski 450-mm Single Crystal-Silicon Growth
Hyung-Jin Kim, Jin-Seong Kim, In-Ji Lee, Gon-Sub Lee, Jea-Gun Park
한국재료학회 2008년 봄 학술대회 |
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The Effects of Argon Gas flow on the Czochralski Silicon Crystal Growth by Numerical Simulation
In-Ji Lee, Gon-Sub Lee, Min-Jeong Kim, Ungyu Paik, Jea-Gun Park
한국재료학회 2007년 봄 학술대회 |
| 5 |
Transient Point Defect Behavior in Czochralski-Grown Silicon Single Crystals
왕종회, 임종인, 이경희
한국화학공학회 2004년 봄 학술대회 |
| 4 |
Dopant Segregation in Conventional Czochralski-Grown Silicon Single Crystals
왕종회, 임종인, 이경희
한국화학공학회 2004년 봄 학술대회 |
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변분법을 이용한 실리콘 단결정 내부의 점결점 제어를 위한 표면 온도 분포 최적화|Optimization of surface temperature distribution for point defects control in the silicon single crystal by using the variational principle
우화성, 정자훈, 강인석|Hwa Sung Woo, Ja Hoon Jeong, In Seok Kang
한국화학공학회 2001년 봄 학술대회 |
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실리콘 초클랄스키 공정에서 점 결함 밀도에 대한 공정 변수의 영향 연구|Study of the effects of operating parameters on the densities of point defects in silicon single crystal in Czochralski process
김종선, 이태용|Jong-Seon Kim, Tae-Yong Lee
한국화학공학회 1998년 봄 학술대회 |
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실리콘 단결정 표면온도 분포의 최적화|Optimization of surface temperature profile of a silicon single crystal
고영덕, 정자훈, 강인석|Y. Koh, J. H. Jeong, I. S. Kang
한국화학공학회 1996년 가을 학술대회 |
