| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 | 23권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 저항메모리 전도성 필라멘트 형성에 대한 확률 기반 모델 |
| 초록 | 저항메모리(Resistive Memory, ReRAM)의 스위칭 동작은 전도성 필라멘트의 형성과 단락에 의해 낮은 저항 상태와 높은 저항 상태를 오가는 것에 의해 이루어지는 것으로 알려져 있다. 이러한 전도성 필라멘트는 산화, 확산, 환원 반응, 즉 ECM (electrochemical metallization)에 의해 전극 금속이 전해질 내로 침투하여 형성될 수 있고, 이 경우를 흔히 원자 스위치라 부르기도 한다. 또 다른 경우는 전극 사이의 부도체 물질 내에서 국부적으로 공공 농도가 높아진 부분이 마치 도체처럼 작용하여 전도성 필라멘트를 형성하기기도 한다. 어느 경우이든 Stochastic한 성질을 갖고 있어, 동작 전압의 산포를 유발하게 된다. 본 연구에서는 확률에 기반한 전도성 필라멘트 형성을 모델링하여 동작 전압 산포 특성에 대하여 해석하였다. |
| 저자 | 민경환1, 공영민2, 권용우1 |
| 소속 | 1홍익대, 2울산대 |
| 키워드 | <P>ReRAM; conductive filament; device model</P> |
