| 초록 |
SnO는 2.7~3.4 eV 밴드 갭 에너지를 갖는 p형 반도체이며, 박막은 준안정 상태로 알려져 있어 연구가 부진하였다. 하지만 최근 기존에 사용되어 온 p형 산화물 반도체인 doped-SnO2, doped-CuO, doped-ZnO, NiO, 박막보다 SnO 박막이 전기전도도가 좋고, n형 SnO2와의 공정이 용이하다는 장점이 있어 활발히 연구되고 있다. 그러나 여전히 저온 성장과 신뢰성 등 여러 기술적 해결 과제가 있다. 이에 본 연구에서는 PET 위에 스퍼터링 방법을 이용하여, p형 SnO 박막과 n형 SnO2을 각각 증착 후 전기전도도, 캐이리 농도, 그리고 이동도를 측정하였고, 주사전자현미경(SEM), X-선 회전분석기(XRD), 라만분광기(Raman Spectroscopy)을 통하여 박막의 결정 구조와 미세 구조 관찰하였다. 또한 UV-Vis 분광기를 이용하여 광학 특성을 측정하였다. p-SnO/n-SnO2 구조의 단종접합 pn 다이오드를 만들어 I-V 전기적 특성을 연구하였다. |
