| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (04/26 ~ 04/28, ICC 제주) |
| 권호 | 23권 1호, p.832 |
| 발표분야 | 이동현상 |
| 제목 | Control of the cellular growth in heavily red-Phosphorous doped silicon single crystal |
| 초록 | Czochralski(CZ)법으로 성장한 red-Phosphorous doped 실리콘 단결정은 epitaxial wafer의 substrate로 사용되어 Power Device나 Discrete 제작에 사용된다. 최근 low 혹은 medium voltage MOSFET의 수요가 증가하면서 비저항 1.0mΩ㎝ 이하의 red-Phosphorous가 첨가된 실리콘 단결정 성장에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 특히, 고농도로 red-Phosphorous가 첨가된 경우, 실리콘 융액의 조성적 과냉으로 인하여 발생하는 cellular growth를 제어하는 것이 중요하다. 본 연구에서는 고농도의 red-Phosphorous가 첨가된 직경 200mm 실리콘 단결정 성장에서 발생한 cellular growth의 시편을 제작하고, 비저항 측정 및 광학현미경과 XRT 분석을 통하여 그 생성 메커니즘과 제어방법에 대하여 고찰하였다. |
| 저자 | 송도원, 이호준, 김상희, 이홍우 |
| 소속 | LG실트론 |
| 키워드 | 이동현상 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
