| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2012년 봄 (05/17 ~ 05/18, 무주덕유산리조트) |
| 권호 | 18권 1호 |
| 발표분야 | C. 에너지/환경 재료(Energy and Environmental Materials) |
| 제목 | GZO 폐스크랩으로부터 Ga 선택적 추출 |
| 초록 | 넓은 밴드갭을 가지고 있어 가시광에서 투명하며 높은 이동도를 가진 산화물반도체는 기존의 Si 기반 TFT소자를 대체할 차세대 디스플레이의 핵심 소재기술로 높은 관심을 가지고 있다. 대표적인 산화물반도체인 In-Ga-Zn-O(IGZO)는 동경공대의 호소노 교수 연구팀에 의해 발표된 이래 활발한 연구가 진행되어 디스플레이 반도체소자에 적용 가능한 사실이 증명되었다. IGZO는 높은 이동도를 갖고, 도핑농도의 제어가 용이하며 낮은 온도에서도 대면적에 증착할 수 있는 특성을 가지고 있다. 특히 저온에서 대면적 증착이 가능한 장점은 갖고 있어 LCD 분야뿐만 아니라 다양한 분야에서 상용화하려는 연구가 시도되고 있다. 대한민국은 디스플레이 강국으로 세계 시장을 장악하고 있으나, 핵심소재인 재료는 수입에 의존하고 있다. 희유금속의 하나인 갈륨은 말의 의미처럼 지구상에 소량이 존재하여 가격이 고가이며, 자원을 확보한 국가에서 금속자원을 무기화 활용하면서 수급 불안정은 어제, 오늘의 일이 아니다. 이러한 의유금속을 재활용하고 재생산하여 수급불안정에 도움이 된다면 산업적으로 상당히 기여하는 바가 클 것이다. 이에 본 연구를 통해서 IGZO 폐스크랩으로부터 Ga을 선택적으로 분리, 회수하였다. |
| 저자 | 김효재1, 김혁종1, 김진식1, 원수현1, 조성훈1, 전덕일2, 황수현2, 최영종2, 고정현2, 김영암2, 최병호1 |
| 소속 | 1금오공과대, 2(주)TSM |
| 키워드 | Ga회수; TFT소자; 산화물반도체; IGZO |
