| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2020년 가을 (11/18 ~ 11/20, 휘닉스 제주 섭지코지) |
| 권호 | 26권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | 3D NAND 고종횡비 구조에서의 습윤성 거동에 대한 연구 |
| 초록 | 3D NAND는 road map에 따라 6세대 128층 기술에 도달하며 종횡비가 증가하고 있다. 이 같은 구조를 만들며 생기는 Deep contact의 오염은 계면저항 증가, 후속 증착 효율 감소 문제의 원인이 된다. 세정공정에서 고종횡비 구조는 기존 평판 구조와 달리 친수성 표면, 소수성 표면, 기하학적 구조, 세정물질의 표면장력 등의 영향을 받는다. 이 구조에서 공정 변수에 따른 세정능력을 예측하기 위해서는 화학물질의 wetting, drying 거동에 대한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 화학물질들을 wetting, drying을 하기 전에 선행되어야 하는 물의 pattern에서의 침투를 확인하기 위한 평가를 진행했다. 샘플은 고종횡비 구조의 hole pattern과 line pattern wafer를 사용했다. sinlge wafer tool(GF-1, Akrion, USA) 장비를 이용해서 wetting과 drying 평가를 했고 물의 고종횡비 구조에서의 침투 분석은 contact angle 장비, FT-IR 장비를 이용했다. FT-IR (Fourier Transform Infrared spectoscopy)분석을 위해서 구조물 하단의 넓은 범위의 측정을 위해 FT-IR (Miltiple Internal Refelction)기술을 활용하기 위한 sample 처리와 전용 tool을 제작했고 wetting 후 critical dimension 변화 확인을 위해 SEM (Scanning Electron Microscope)을 이용했다. line pattern의 경우 wetting과 drying이 잘 되었고 hole pattern의 경우 물이 침투하는 것에 어려움이 있었다. line pattern을 통해 친수성 처리가 되었을 때 wetting이 더 잘 되고 CD widening현상은 없었다. 이번 실험을 통해 hole pattern wafer에 대한 한계와 line pattern wafer의 가능성을 확인했다. |
| 저자 | 조윤종1, 박진구1, 김현태2, 이찬희1, Nagendra Prasad Yerriboina1, 김태곤3 |
| 소속 | 1재료화학공학과, 2바이오나노학과, 3스마트융합공학부 |
| 키워드 | FT-IR; Deep contact; wetting; drying |
