| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.4931 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | SiC/Si 기판 위에 3C-SiC 결정 박막의 Homoepitaxy 성장 연구 |
| 초록 | 산업이 고도화되면서 반도체 소자 제작 및 응용기술의 급속한 발전이 Si을 비롯한 GaAs, InP와 같은 고품위 단결정 제조기술 및 박막 제조기술 등의 소재기술 확보로부터 시작된 것처럼, 고품위 단결정 및 박막 성장을 위한 기초소재 기술의 중요성은 새로운 분야 응용을 위한 소자의 개발에서도 크게 부각되었다. 그러나 기존에 사용되어진 실리콘 (Si)은 내산성이 약할 뿐만 아니라 고온에서 실리콘 자체의 물성저하와 불순물의 제어 등이 어렵기 때문에 최근 요구되어지고 있는 고온·초고전류 및 전압, 심각한 방사환경 등과 같은 열악한 환경에서 사용될 수 있어야 되는데 기존의 Si이나 III-V 화합물반도체로는 각 시스템에서 요구되는 성능을 만족시킬 수 없어 새로운 소재의 개발을 필요로 한다 |
| 저자 | 노재일, 이경선, 김광철, 남기석 |
| 소속 | 전북대 |
| 키워드 | SiC/Si |
| 원문파일 | 초록 보기 |
