| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (11/11 ~ 11/12, 무주리조트) |
| 권호 | 16권 2호 |
| 발표분야 | A. Information and Sensor Materials(정보소재 및 센서) |
| 제목 | 인이 확산된 Si의 표면저항과 확산깊이의 관계 |
| 초록 | Si 태양전지의 에미터(emitter)를 형성하기 위하여 인(P)의 확산 특성을 조사하였다. p-Si (100) 단결정 기판에 인을 확산시키고 확산조건에 따른 면저항과 확산깊이의 관계를 조사하였다. 수평형 확산전기로에서 분말 상태의 P2O5를 도펀트 소스로 사용하여 확산 시간과 온도를 각각 10분에서 120분과 850 ℃에서 950 ℃의 범위에서 확산시켰다. 확산된 시료의 표면을 화학적으로 에칭(etching)하여 표면의 산화물을 제거한 후 4-point probe를 이용하여 면저항을 측정하였고, SIMS(Secondary ion mass spectrometry)를 이용하여 확산깊이를 측정하였다. 확산 시간과 온도에 따라 측정되어진 면저항과 확산깊이를 비교 분석하여 본 결과 서로 평행적인 기울기를 가지는 비례관계를 나타낼 수 있었으며. 이 관계에서 면저항을 통하여 확산깊이를 예상할 수 있었고, 면저항을 나타낸 그래프의 기울기에 대하여 활성화 에너지를 구할 수 있었다. |
| 저자 | 신동휘1, 변창섭2, 김선태1 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | 단결정 Si; 에미터; P 확산; 면저항; SIMS |
