| 초록 |
평 전기로에서 CdGa2Se4 다결정을 합성하여 HWE 방법으로 CdGa2Se4 단결정 박막을 반절연성 GaAs(100) 위에 성장하였다. CdGa2Se4 단결정 박막은 증발원과 기판의 온도를 각각 630℃, 420℃로 성장하였다. 10K에서 측정한 광발광 exciton 스펙트럼과 이중결정 X-선 요동곡선(DCRC)의 반치폭(FWHM)을 분석하여 단결정 박막의 최적 성장 조건을 얻었다. 광전류 봉우리의 10K에서 단파장대의 가전자대 갈라짐(splitting)에의해서 측정된 ΔCr (crystal field splitting)은 106.5 meV, ΔSo (spin orbit splitting)는 418.9 meV였다. 10K의 광발광 측정으로부터 고품질의 결정에서 볼 수 있는 free exciton 과 매우 강한 세기의 중성 주개 bound exciton등의 피크가 관찰되었다. 이때 중성 주개 bound exciton의 반치폭과 결합 에너지는 각각 8 meV와 13.7 meV 였다. 또한 Haynes rule에 의해 구한 불순물의 활성화 에너지는 137 meV 였다. |
