| 초록 |
Phase-change Random Access Memory (PRAM)은 빠른 동작속도 및 저전력 구동 등의 장점이 있는 유망한 차세대 메모리 반도체 중 하나이다. PRAM에 칼코게나이드계 화합물인 Ge2Sb2Te5 (GST), Ovonic Threshold Switching (OTS) 재료 등과 같은 대표적인 상변화 물질이 사용되며, 이를 식각하기 위해 할로겐 가스를 이용하고 있다. 하지만 할로겐 가스에 의해 식각 손상을 입는 문제점이 발생하고 있어 이러한 물질의 손상을 줄일 수 있는 새로운 식각 연구가 요구된다. 본 연구에서는 다양한 수소 기반 가스에 대한 OTS 물질의 식각 특성을 확인하였다. Inductively Coupled Plasma (ICP) 장치에서 Reactive Ion Etching (RIE)를 진행하였으며 H2, NH3, NH3+CH4 가스들을 이용하였다. 식각 깊이와 식각 표면을 확인하기 위하여 Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM)을 사용하였으며, 가스에 따른 플라즈마 특성을 확인하기 위해 Optical Emission Spectroscopy (OES)를 사용하였다. 식각 후에는 각 식각 가스 별로 OTS 표면의 손상 정도를 확인하기 위하여 X-ray Photoelectron Spectroscopy (XPS)를 이용하여 분석하였다. |
