| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Analysis Of Vertically Integrated Nanowire Field Effect Transistor |
| 초록 | 수직 트랜지스터는 기존 트랜지스터(Plannar FET, FinFET)의 집적도 한계를 극복하기 위해 제안되었고 연구되어지고 있다. 하지만 소자의 크기가 10 nm 이하로 줄어들 경우 소스/드레인 확장영역과 게이트 영역의 제어가 어려워진다. 한가지 대안으로 accumulation mode에서 동작하는 소자가 제안되었는데 이 소자의 경우 두 영역의 overlap에 대한 정확한 제어가 불필요하기 때문이다. 이 논문에서는 inversion mode와 accumulation mode로 동작하는 두 가지 소자의 전기적 특성을 비교, 분석해 차세대 소자의 mode로서의 가능성을 검토해 보았다. |
| 저자 | 이진우, 김수경, 정일섭 |
| 소속 | 성균관대 |
| 키워드 | vertically integrated nanowire FET; accumulation mode; inversion mode |
