| 초록 |
기존에 박막트랜지스터(Thin Film Transistor)의 소재로는 a-Si 및 poly-Si 중심의 TFT가 많이 연구되었다. a–Si의 경우 전기적 특성이 우수하지 못하며, poly-Si의 경우는 공정 process의 단계가 복잡하고 ELA처리 비용이 많이 드는 등 전기적 특성은 우수하지만 여러 가지 문제점이 존재하였다. 이를 보안하기 위하여 공정단계가 Sputtering System 이용하여 상대적으로 간단하며 전기적 특성도 담보가 되는 산화물 기반 TFT가 a-Si, poly-Si의 대체 소재로 각광받기 시작하였다. 본 연구는 산화물의 일종인 a-InSnZnO (a-ITZO)를 이용한 박막트랜지스터의 전기적인 특성을 향상시키기 위하여 고안하였다. VG-ID curve에서 Nit를 추출한 결과 수소가 첨가되었을 불순물이 가장 낮았으며, 트랜스컨덕턴스(gm)의 경우도 SiON, H2, NH3 의 각각 소자에서 2.31 x 10-6, 9.23 x 10-6, 7.70 x 10-6 S 로 수소가 첨가되었을 때 가장 높게 나타났다. 또한, 문턱전압(Vth)의 경우 각각 7.8, 2.3, 4.7 V로 수소가 첨가된 소자가 가장 낮은 것으로 나타났으며 기존의 Gate Insulator SiON 조성에 gas에 H₂, NH₃를 추가한 TFTs의 결과 Ion/Ioff 가 108으로 가장 우수한 H2가 추가된 조건에서 NH3 플라즈마 처리한 후 Field Effect mobilites (μFEE)를 계산한 결과 67 cm2/V-s가 나타나는 것을 볼 수 있었다. |
