| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2020년 가을 (11/18 ~ 11/20, 휘닉스 제주 섭지코지) |
| 권호 | 26권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | Ferroelectric HfZrO Film Enabling Non-Volatile Memory Cell in the Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Semiconductor |
| 초록 | 클라우드 및 IoT 컴퓨팅 환경에서 요구되는 데이터 저장 용량 수요를 맞추기 위해 최근 3D NAND Flash Memory 기술은 발전을 거듭하고 있다. 최근 HfO2의 Orthorhombic phase에서 강유전성이 확인되어 기존의 강유전성을 지닌 Perovskite 구조 물질의 Scaling 문제가 해결되면서 Fe-FET이 차세대 비휘발성 메모리 소자의 강력한 후보로 꼽히고 있다. 그러나 실리콘 위에 HfO2가 증착된 이후 발생하는 얇은 Low k SiO2 존재는 메모리 셀의 Endurance와 Retention에 악영향을 주는 문제가 발생하고 있다. 본 연구에서는 실리콘이 아닌 산화물 반도체 기반의 Fe-FET을 이용하여 이러한 문제점을 해결할 뿐만 아니라 HfO2와 Oxide Semiconductor의 Interface coherency로 인해 Defect을 줄이며 산화물 반도체의 장점인 Low Leakage current 특성을 지닌 Fe-FET 제작에 목표를 두고 있다. 따라서 Hafnium과 Zirconium을 PEALD를 이용해 Super cycle로 증착한 HZO와 IGZO를 결합하여 RTA를 진행한 뒤 1KHz의 Triangular voltage Waveform으로 PE curve를 확인하고 IGZO와 HZO의 위치에 따라 소자 특성 변화를 살펴보았다. |
| 저자 | 박주휘, 정재경 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | Ferroelectric; HZO; IGZO; NVM |
