| 초록 |
전기화학적 양극산화법에 의해 표면에 형성되는 TiO2 나노튜브 산화막은 저렴하고 간단한 방법으로 비표면적이 넓은 산화막을 얻을 수 있어 다양한 분야에서의 응용되고 있으며, 지난 수십 년간 이와 관련된 국내·외 많은 연구들이 보고되고 있다. 이중 대부분의 연구결과는 나노튜브 층의 성장 거동에 관해 용액의 pH, 양극산화 시간, 인가전압 등의 전기화학적 조건 변화가 산화막 성장거동에 미치는 영향에 대해서 연구되어져 왔으며, 최근 들어서는 양극산화에 사용되는 substrate의 미세구조 변화 등 전기화학적 조건 이외의 변수에 대해서도 많은 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 양극산화에 사용되는 pure Ti substrate 미세구조 변화가 산화막 성장거동에 미치는 영향에 대해 조사하기 위해 각각 냉간가공 및 열처리를 실시하였다. 그 결과, 실험한 모든 조건에서 TiO2 나노 튜브 형태의 산화막이 형성되었고, 열처리 시편의 경우, 생성된 나노튜브층의 두께는 열처리 분위기에 관계없이 열처리 온도 및 시간이 증가함에 따라 감소하였고, 냉간가공된 시편은 가공 횟수가 증가함에 따라 생성되는 나노튜브층의 두께도 증가 하였다. 이러한 결과는 임피던스 측정을 통해 고찰하였으며, 냉간가공 횟수가 증가 할수록 표면 결함밀도가 증가하고 열처리에 의해 결함밀도가 감소하는 것을 알 수 있었다. |
