| 초록 |
고집적, 대용량화를 추구하는 반도체 Device에서 층간 절연 layer(ILD)의 선택 및 그 특성에 대한 중요성이 증가하는 추세이며,계속적으로 절연막에 대한 이해 및 연구가 활발하게 이뤄지고 있다. 본 논문에서는 100nm이하 급 Device에서 BPSG(Boron Phosphporus Silicate Glass) 막질을 ILD로 증착 시, 후속 세정 공정에서의 문제점이 발생되는 원인을 분석하였다. BPSG 절연막은 DI 세정 시에 H2O 온도가 70℃ 이상에서 막질 표면의 특성이 크게 변화하는 것이 확인되었으며, 이는 BPSG 막질이 H2O온도가 70도 이상에서 BPSG막질에 Absorption을 가속화시키는 것을 확인할 수 있었다. 또한, BPSG 막내 H20의 흡습량에 증가는 BPSG표면에서 Boron과 Phosphorus 농도가 감소되고 흡습된 H2O가 BPSG 표면의 B,P와 반응하여 H3BO3, H3PO4와 같은 형태로 변화하면서 후속 wet etch 공정 시 etch rate이 급격히 증가하는 것을 확인하였다. |
