| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코) |
| 권호 | 21권 1호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료 |
| 제목 | DC 스퍼터링에 의해 증착된 AlN 박막의 특성 변화 |
| 초록 | AlN 박막은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로서 매우 큰 band gap(6.2 eV)과 우수한 안정성을 가지며 높은 열전도도와 전기적 저항, 압전 특성을 가지고 있어 많은 주목을 받고 있다. 본 연구에서는 DC Sputtering 방법을 이용하여 Ar/N2=10/20(sccm)에서 Si(100) 기판 위에 증착시간을 달리하여 AlN 박막을 성장시킨 후 변화를 분석하였다. 10 mm × 10 mm Si 기판을 DC Sputtering 장치에 장착하고 Chamber 내부의 진공을 2.0×10-6 torr 까지 배기한 후, Ar 가스 10 sccm, N2 가스 20 sccm을 공급하여 공정압력을 2.0×10-3 torr로 유지하면서 AlN를 성장시켰다. SEM-EDX 장비를 이용하여 박막의 두께를 측정 하였고, XPS Depth Profiling을 통해 박막의 구조적 특성을 분석하였다. SEM-EDX와 XPS 표면분석을 통해 AlN이 검출되는 것을 확인하였고, XPS Depth Profiling에서 증착 시간이 증가할수록 Ar etching 시간이 증가하는 것을 확인하였으며, 스퍼터링 과정에서 산소가 혼입된 것을 확인할 수 있었다. AlN 박막과 Si 기판 사이 계면에서는 기판의 산화막에 의해 산소가 증가하였다. |
| 저자 | 김하영, 김소현, 양준재, 변창섭, 김선태 |
| 소속 | 한밭대 |
| 키워드 | AlN; DC Sputtering; SEM-EDX; XPS |
