| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 봄 (05/21 ~ 05/22, 무주리조트) |
| 권호 | 15권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | IGZO 박막 위에 저온 증착된 Al doped ZnO의 TCO 특성 평가 |
| 초록 | 최근 유비쿼터스 시대의 도래가 가까워 짐에 따라 see-through display 에 대한 관심이 높아지고 있다. 이미 투명디스플레이는 실현 가능하며 이를 응용한 다양한 형태의 디스플레이가 출시될 것으로 보인다. 이때 투명 디스플레이에 시용되는 반도체, 전극, 모듈은 모두 투명도 80%이상을 충족해야 하며, 현재 널리 상용화 되어있는 투명전극은 ITO로 높은 투과도와 우수한 전기적 특성 때문에 LCD모니터를 비롯한 다양한 분야에서 사용되고 있다. 하지만 최근 인듐 수요의 급등에 따른 가격상승 때문에 ITO를 대체할 물질에 대한 연구가 활발해지고 있다. ZnO는 Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체로써 UV영역의 넓은 밴드갭(3.37eV)을 가지는 투명한 재료이다. 전기적 성질은 절연체부터 전도체 영역까지 조절할 수 있으며, 특히 3족 금속을 doping 할 경우 전도체 영역의 우수한 전기적 특성을 보임이 보고되고 있다. 따라서 TCO의 유력한 후보로 거론되고 있으며 다양한 반도체의 접합 특성에 대한 연구가 진행 중에 있다. 본 실험에서는 낮은 비저항을 가지는 Al doped ZnO(AZO)의 광학적, 전기적 특성 평가를 위해 투과도와 전기전도도를 측정하였다. 유리기판 위에 증착된 IGZO 박막위에 금속전극과 AZO전극을 형성시켜 TLM패턴을 이용하여 접촉저항특성을 비교하였으며, AZO투명전극의 접촉특성을 개선하기 위해 다양한 분위기의 열처리를 수행하였다. |
| 저자 | 최미경1, 한원석1, 김동찬1, 공보현1, 우창호1, 서동규1, 조형균1, 김준호2, 이호성2 |
| 소속 | 1성균관대, 2경북대 |
| 키워드 | Al doped ZnO; TCO; contact resistance; annealing |
