| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2001년 가을 (10/19 ~ 10/20, 한밭대학교) |
| 권호 | 7권 2호, p.5183 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 분자모델링 기법을 이용한 Si3N4 표면의 플라즈마 식각 현상 해석 |
| 초록 | 본 연구에서는 낮은 입사 에너지(100eV, 200eV)와 입사각(0o, 30o, 45o, 60o, 75o, 85o)에 따른 플라즈마 입자(Ar 이온)가 Si3N4 기판 표면에 충돌할 때 발생하는 표면현상과 이에 따른 식각 반응을 분자 모델링 기법을 이용한 시뮬레이션을 통하여 관찰하고 해석하였다. 분자모델링 모사를 수행함으로써 기판 표면의 전개 및 조성의 변화를 알아 낼 수 있고, 입사각과 에너지에 따른 Si3N4 기판의 sputtering yield 와 ion reflection 특성을 관찰할 수 있다. 또한 입자 충돌의 모사 방법 중 하나인 이진 충돌 모델(BCM : binary collision model) [4-6]을 통한 결과와 비교해 입자 충돌 특성을 비교 관찰하였다. |
| 저자 | 이승엽, 김동호, 김도현 |
| 소속 | 한국과학기술원 화학공학과 |
| 키워드 | Molecular Dynamics; Plasma Etching; Binary Collision Model; Simulation; Sputtering |
| 원문파일 | 초록 보기 |
