| 학회 |
한국공업화학회 |
| 학술대회 |
2014년 봄 (04/30 ~ 05/02, 제주국제컨벤션센터) |
| 권호 |
18권 1호 |
| 발표분야 |
포스터-에너지저장.변환 |
| 제목 |
Cu2ZnSnS4 태양전지의 MoS2층 생성 제어 연구 |
| 초록 |
CZTS계 태양전지는 지구상에 많이 존재하는 원료를 사용하기 때문에 저가격화에 유리하고, 1.0 ~ 1.5 eV의 밴드갭 에너지와 104 cm-1이상의 흡수 계수를 갖기 때문에 많은 연구가 진행되고 있으나, CdTe 또는 CIGS계 태양전지에 비해서 효율이 낮은 단점이 있다. 효율이 낮은 이유로는 Mo 층과 CZTS 흡수층 사이에 형성되는 Mo-chalcogenide 화합물이 한 원인이 될 수 있다. 본 실험에서 제조된 CZTS 태양 전지의 경우, 흡수층 전구체인 ZnS, SnS 층에 포함되어 있는 황과, 황화 공정 중에 사용되는 황에 의해 MoS2 층이 형성 될 수 있다. MoS2 층과 Mo층 사이에는 back contact blocking barrier가 존재하게 되고, 이로 인해 hole transport를 제한한다. 따라서 CZTS 태양 전지의 특성 향상을 위해서는 MoS2 층의 생성 억제가 필요하다. 본 실험은 Mo층을 열처리하여 Mo의 열적 안정성 확보를 통해서 황과 반응을 억제하고, MoS2 층의 생성을 제어하는 것을 목적으로 하고 있다. MoS2 층의 생성은 Mo 열처리 온도가 증가함에 따라 억제가 되었으며, TEM, SIMS 분석 등을 통해서 확인되었다. 따라서 back contact blocking barrier 역할을 하는 MoS2 생성 억제를 통해 태양전지의 특성을 향상시킬 수 있었다. |
| 저자 |
양기정1, 심준형1, 전보람2, 손대호1, 강진규1
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| 소속 |
1대구경북과학기술원 차세대융복합센터, 2대구경북과학기술원 에너지연구부 |
| 키워드 |
Cu2ZnSnS4; 태양전지; MoS2; back contact blocking barrier
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