| 초록 |
GaN은 넓은 밴드갭을 가지고 있어 AlN, InN 등의 III-V족 질화물과 함께 발광소자, 반도체 레이저 등의 광소자에 응용될 수 있으며, 또한 SAW(Surface Acoustic Wave) 및 DMS(Diluted Magnetic Semiconductor)와 같은 전자소자에 응용될 수 있다. 현재 질화물 반도체관련 연구경향은 재료의 합성기술을 나노기술과 접목시켜 QW(Quantum Well) 또는 QD(Quantum Dot) 구조의 소자개발이나 구상 (particle) 혹은 봉상 (rod)의 나노 크기의 입자 제조공정 기술의 개발에 관한 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 MOCVD 및 nano-template를 이용하여 GaN의 나노 튜브 및 와이어를 제조하고 그 특성을 평가하고자 한다. template로서는 시판의 porous alumina 또는 양극산화기법에 의하여 제조한 AAM(anodic alumina membrane)을 이용하였으며, MOCVD 장비를 이용하여 나노크기의 pore 내부에 GaN을 증착하였다. Ga source로서는 TMG(Tri Methyl Gallium)를 사용하였고, 암모니아 가스를 질소 source로서 사용하였다. 제조된 GaN 나노 튜브 및 와이어는 그 구조 및 성분을 확인하기 위하여 EDS, SEM, TEM, AFM을 이용하여 분석을 하였고, PL분석을 통하여 광학적 특성을 조사하였다. |
