| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2018년 봄 (05/16 ~ 05/18, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 |
24권 1호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 |
Epitaxial Growth of GaN with Air tunnel on patterned sapphire substrate by using buffer layer |
| 초록 |
GaN-based light emitting diodes(LEDs)를 향상하기 위해서 높은 광추출효율을 낼 수 있는 air-void가 embedded되어 있는 LED chip이 효율이 증가한다. Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)로 Photoresist (PR) mask를 사용하여 carbonization을 하여 GaN template와 patterned sapphire substrate (PSS) 사이에 air-tunnel을 만들었다. PR mask는 carbonization되면서 etching이 되며 PSS의 lens가 드러나는 순간부터 GaN이 lens에 성장을 하였으며, PR이 사라지며 GaN이 merge가 되는 것을 확인을 하였다. Air-tunnel이 있으며 GaN이 merge은 scanning electron microscopy (SEM)으로 확인을 하였으며, GaN template의 crystallinity는 x-ray diffraction (XRD)로 확인하였다. PR에서의 carbonization할 때 생기는 carbon이 GaN에 불순물로 합성되어 있는지 여부는 secondary ion mass spectrometer (SIMS)로 분석하였다. |
| 저자 |
조승희, 정우섭, 고현아, 이두원, 안민주, 심규연, 변동진
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
GaN; Air-tunnel; Photoresist
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