| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2005년 가을 (11/10 ~ 11/11, 한양대학교) |
| 권호 |
11권 2호 |
| 발표분야 |
나노 및 생체재료 |
| 제목 |
양극산화 알루미나 나노채널을 이용한 실리콘 기판의 나노 기공 제작 |
| 초록 |
AAO(anodized aluminum oxide) 나노채널은 특이한 형상과 배열 특성으로 나노구조 제작에 활용이 기대되고 있다. AAO를 이용하여 반도체 기판에 나노트렌치를 형성하는 경우 박막성장시의 잔류응력과 변형을 감소시킬 수 있어 나노 이종 에피탁시기술을 발전시킬 수 있을 뿐만 아니라 선택적 성장에 의한 나노점과 같은 나노구조 제작에 응용이 가능하다. 본 연구에서는 이러한 다양한 응용을 위하여 AAO 나노채널을 마스크로 사용한 실리콘기판의 나노트렌치 형성기술 개발을 위한 실험을 하였다. AAO는 Si(100)기판위에 증착한 Al 막을 2단계 양극산화 과정을 거쳐 생성하였다. AAO 나노채널의 직경은 50~70㎚, 두께는 ~0.5㎛이다. 실리콘 기판위에 나노트렌치를 형성하기 위해 ICP-RIE 장치를 이용하여 건식식각을 하였다. 건식식각 후 AAO를 습식 식각을 하여 제거하여 나노트렌치가 형성된 실리콘 기판을 제작하였다. 최적화된 나노트렌치 형성 조건을 찾기 위해 건식식각 시간, 플라즈마 강도, AAO 두께 등을 달리하여 실험을 하였다. 생성된 나노트렌치가 형성된 실리콘 기판의 구조를 FE-SEM과 TEM을 이용하였다. |
| 저자 |
최준호, 홍순구, 박문규, 조유석, 우부성, 김도진
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| 소속 |
충남대 |
| 키워드 |
AAO; nanotrench; ICP-RIE
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