| 초록 |
적층결함은 적층결함이 존재하는 결정과 정상결정과의 에너지 차이가 작아 실험적으로도 계산적으로도 그 존재를 확인하기는 어렵기 때문에 연구의 예가 극히 드물다. 그러나 SiC에 존재하는 적층결함은 SiC 재료의 기계적 물성이나 전기적 물성에 깊은 관계를 갖고 있기 때문에 적층결함의 양을 정량화하는 것은 SiC 재료의 연구에 있어서 꼭 필요한 연구부분이다. 따라서 본 연구에서는 이러한 SiC의 적층결함밀도 측정방법을 표준화하기 위하여 적층결함밀도가 다른 여러종류의 β-phase SiC 분말에 대해 분말 X선 회절법을 이용하여 회절 peak를 측정하였고 이러한 peak중에서 적층결홤과 관련있는 33.6o 와 β-phase SiC 의 (200)면인 41.4o 의 강도비로 결함량을 계산하였다(Seo식 이용). 그리고 X-선 측정시의 가속전압, 주사속도, 슬릿, step with 등의 조건 변화에 따른 적층결함 밀도 측정 표준화를 조사하였다. 또한 X-선의 결과와 HRTEM 분석결과를 비교함으로써 신뢰성 있는 SiC 적층결함 측정방법을 제안하였다. |
