| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (10/27 ~ 10/28, 고려대학교) |
| 권호 | 12권 2호, p.2539 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | CeO2 thin film deposition on SiO2 particles by MOCVD method for abrasive particles of CMP |
| 초록 | 1980 년대 말 반도체 디바이스의 고밀도화, 미세화 및 배선구조의 다층화에 따라 단차가 증가하게 되었고, 이러한 표면 단차를 줄이기 위해 연마공정이 개발되었다. CMP 공정이란 1980년대 미국의 컴퓨터 제조업체에서 처음으로 제시된 방법으로 실리콘 웨이퍼 및 집적회로의 광역 평탄화에 있어 기존의 기계적 절삭가공과는 달리 슬러리를 첨가시켜 기계적인 작용과 화학적인 작용을 동시에 실행시키는 연마공정이다. CMP용 연마입자로는 SiO2(silica)와 CeO2(ceria)가 일반적으로 사용된다. 이 중 CeO2는 SiO2 등의 다른 연마입자들과 비교시 SiO2 막에 대한 연마율이 뛰어나 절연막(SiO2)과 질화막(Si3N4)간의 선택비(selectivity)면에서 우수한 성능을 보이므로 선택적 연마 공정(Selective CMP process, Damascene process)에 있어 유리하다. 이로 인해 최근 많은 연구가 진행 중에 있다. 그러나 CeO2는 입자간 응집되기 쉬운 입자 특성을 가지고 있고 입자의 비중이 커서 쉽게 침전이 되고 1차 입자의 결정이 각진 구조를 가지고 있으므로, 이것에 의한 공정상의 어려움이 지적되고 있다. 본 연구에서는 입자의 각진 형상을 제어하고 상대적으로 큰 비중을 줄여줄 목적으로 구형의 SiO2 입자에 CeO2를 코팅하여 SiO2의 상대적으로 작은 비중과 형상 및 CeO2의 화학적 특성을 이용하는 연구를 수행하고자 하였다. |
| 저자 | 안재희, 이관영 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | CVD; MOCVD; CeO2; Ceria |
| 원문파일 | 초록 보기 |
