| 초록 |
스마트폰, 태블릿 PC와 같은 모바일 기기뿐만 아니라 IOT의 중요성이 대두되는 유비쿼터스 시대에 기존 메모리를 대체할 새로운 차세대 메모리 소자가 필요하다. 차세대 메모리 소자 구현을 위해 다양한 메모리 소자에 대한 연구가 진행되고 있다. 차세대 메모리 중에서 저항변화 메모리는 저항변화 물질에 서로 다른 저항상태를 저장하는 비휘발성 메모리로서 간단한 소자구조, 낮은 소비전력, 높은 집적도와 빠른 동작속도를 가지고 있어 기존 플래시 메모리를 대체할 수 있을 것으로 주목받고 있다. 하지만 실제 소자 적용시 소자 균일도 문제와 current compliance circuit이 필요하다는 문제점이 제기되고 있다. 본 연구에서는 저항변화 메모리의 단점으로 제기되고 있는current compliance의 필요성을 해결하기 위해 다층구조의 소자를 제작하였다. 전기화학증착방법을 통해 다층구조 CuOx 기반 메모리 소자를 제작하였으며, 각 층의 전기적 특성을 제어하기 위해서 전기화학증착법의 증착 변수들이 조절되었다. 저항변화층과 전류제한층을 제작하여 저항변화 메모리 성능을 향상시킬 수 있었다. 전류제한층 도입을 통해 소자의 동작 전류를 제한할 수 있었을 뿐만 아니라 균일한 전기적인 특성까지 얻을 수 있었다. 본 연구에서는 전기화학증착법에 기반을 둔 다층구조 저항변화 메모리 소자를 제작하였고, 소자 구조에 따른 저항변화 거동, 내구성 및 정보 보유 능력을 평가하였다 |
