화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔)
권호 23권 2호
발표분야 A. 전자/반도체 재료 분과
제목 메탈칼코겐 콜로이드 나노입자를 이용한 띠내전이 기반의 반도체 트랜지스터 제작과 특성분석
초록  콜로이드용액 기반의 양자점 (quantum dot) 혹은 나노입자 (nanoparticle)는 수 나노미터의 크기를 가진 반도체 입자로, 큰 크기나 벌크상태의 반도체의 입자와는 다른 광학적, 전기적 특성을 가진다. 양자갇힘효과 (quantum confinement effect)로 인한 나노입자 내의 가전도대 (valence band)와 전도대 (conduction band)간의 불연속적인 전자상태 (discrete electron state)를 가지는 특성으로 인하여 양자점 디스플레이, 솔라셀, 고이농도 트랜지스터로써의 응용가능성이 모색되어 왔다. 또한, 콜로이드 용액기반의 반도체박막이 형성이 가능하므로, 기존 고온공정을 이용한 반도체 공정과는 차별화되게 상대적으로 저온상태에서 원하는 영역에만 증착이 가능하므로, 인쇄공정을 통한 차세대 반도체 및 디스플레이의 제작이 가능하다.
 한편, 이러한 콜로이드용액 기반의 반도체 박막필름의 제작에 있어서 가전도대와 전도대 사이의전이 (interband transition) 뿐만 아니라 전도대내의 전이 (intraband transition)를 이용하여 반도체의 특성을 가지는 양자점을 이용한 소자가 최근에 많은 보고가 되고 있다. 이러한 양자점내의 띠내전이는 화학적 합성법을 통하여 페르미 에너지 (Fermi energy)를 조절하여 전도대 내의 1Se에서 2Se상태의 여기(excitation)를 통한 전자소자 및 광전자소자를 만들어서 그 응용이 새롭게 보고 되있다. 본 연구에서는 이러한 띠내전이 현상을 가진 HgS와 HgSe기반의 메탈칼코겐 (metal chalcogenide) 콜로이드 용액의 나노입자를 활용하여 반도체 특성의 박막을 제작하고, 이를 활용한 소자를 제작하고자 한다.  
저자 김현진1, 정광섭2, 김재균1
소속 1한양대, 2고려대
키워드 <P>메탈칼코겐; 양자점; 나노입자; 콜로이드; 박막; 트랜지스터</P>
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