| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2006년 가을 (10/27 ~ 10/28, 고려대학교) |
| 권호 | 12권 2호, p.2394 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Surface change of Si by hydrogen and oxygen plasma |
| 초록 | 원자 단위의 기본 이론인 원자재결합은 표면개질, 박막 증착, 건식 세정 및 우주왕복선의 열보호 타일의 개발 등에 응용되어 질 수 있다. 원자재결합 메커니즘을 규명하기 위해 다양한 조건 하에서의 실리콘과 실리카 표면위에서 산소 및 수소의 원자 거동을 이해하는 것이 필요하다. 이를 위해 다양한 온도 조건하에서 산소 원자 재결합 확률을 측정하였으며, 산소 및 수소 플라즈마 처리 시 실리콘의 표면 변화를 측정하였다. 본 연구는 초고진공 in-situ상태에서 이루어졌으며 XPS 및 AFM을 이용하여 표면의 변화를 측정하였다. 그 결과 산소 원자 재결합은 온도에 의존하는 반응임을 알 수 있었다. 또한 수소 플라즈마 세정 방식이 RCA 세정을 하였을 경우보다 표면을 보다 거칠게 하며, 산소 플라즈마가 H-terminated Si 의 표면으로부터 수소를 탈착시키는 것을 알 수 있었다. |
| 저자 | 전문규, 박정호, 김준환, 김영채 |
| 소속 | 한양대 |
| 키워드 | atom recombination; silicon; plasma |
| 원문파일 | 초록 보기 |
