| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2002년 봄 (04/12 ~ 04/13, 서울대학교) |
| 권호 | 27권 1호, p.51 |
| 발표분야 | 분자전자 부문위원회 |
| 제목 | Fluorinated Poly(arylene ether sulfide) for Optical Waveguide Devices |
| 초록 | 광도파로용 재료로 실리카 물질이 사용되었으나, 소자 제조 시 공정의 어려움 등으로 최근 고분자 재료를 사용한 광도파로 소자의 제조가 활발하게 연구되고 있으며, 시작품이 나오고 있다. 그러나 고분자 물질은 공정의 손쉬운 점에 비하여 광 손실이 많고, 기계적, 열적 성질이 약하여 이런 점을 극복할 수 있는 고분자의 합성이 중요한 과제이다. 본 연구에서는 불소 치환된 pentafluorophenyl sufide와 4,4’-(hexafluoroisopropylidene)diphenol (6FBPA) 과의 축합반응으로 poly(arylene ether sulfide)를 합성하였다. 합성된 고분자의 분자량범위는각각 14200-25200이었다. 고분자 말단에 에테닐 그룹을 도입하여, 가교반응을 함으로써 유리전이온도를 120도에서 160도로 올려서, 열적 물성을 증진시켰다. 1.55㎛에서 복굴절율이 0.0034-0.0044이었으며, 소자의 광손실은 0.40dB/cm 이었다. |
| 저자 | 김재필1, 송호석2, 강재욱, 김장주, 이재석 |
| 소속 | 1광주과학기술원, 2신소재공학과 |
| 키워드 | |
| VOD | VOD 보기 |
