| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (04/26 ~ 04/28, ICC 제주) |
| 권호 | 23권 1호, p.885 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 유기용매를 이용한 high dose implanted photoresist 제거 |
| 초록 | III-V 족 반도체는 silicon에 비하여 뛰어난 electron mobility를 가지고 있어 트랜지스터의 집적도를 향상시킬 수 있다. 그러나 III-V족 반도체를 실제 채널로 사용하기 위해서는 선결되어야 할 문제들이 있으며 그 중 하나는 III-V족 반도체 상의 photoresist 제거이다. SPM을 이용한 일반적인 photoresist 제거 방법은 III-V족 반도체의 material loss를 발생시키기 때문에 사용하기 어렵다. 따라서 본 연구에서는 유기용매를 이용하여 implanted photoresist를 제거하기 위한 process를 개발하였다. High dose implanted photoresist를 제거하기 위하여 다양한 유기용매와 소량의 additive가 첨가된 mixture를 개발하였다. Optical microscope와 in-situ MIR-FTIR을 이용하여 photoresist의 제거를 관찰하였으며 AFM과 FE-SEM을 통하여 GaAs의 surface damage를 분석하였다. 일반적으로 낮은 molar volume의 유기용매는 crust를 쉽게 침투할 수 있으며 high affinity의 유기용매는 photoresist를 용해하는 능력이 뛰어나다. 따라서 본 연구에서는 낮은 molar volume의 유기용매인 acetonitrile과 high affinity의 유기용매인 DMSO를 혼합하였으며, crust와 solution간의 wettability를 향상시킬 수 있는 additive를 소량 첨가하여 high dose implanted photoresist를 효과적으로 제거하였다. |
| 저자 | 오은석, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | 화공소재 전반 |
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| 원문파일 | 초록 보기 |
