| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2014년 가을 (10/22 ~ 10/24, 대전 DCC) |
| 권호 | 20권 2호, p.2032 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Germanium oxide passivation을 적용한 Germanium Solar cell 제작 |
| 초록 | Germanium (Ge)는 Silicon (Si)에 비해 우수한 전기적인 특성으로 높은 성능의 디바이스의 구현이 가능하다. Ge의 band gap은 0.661 eV이며, electron mobility와 hole mobility가 각각 3900 cm2V-1s-1 와 1900 cm2V-1s-1로 Si에 비해 넓은 영역의 빛을 흡수할 수 있고 빠른 carrier mobility를 보여 Solar cell에 적용시킬 시 높은 효율을 기대할 수 있다. 하지만 Ge oxide는 H2O, Acid solution, Alkali solution에 해리되어 Si oxide에 비해 화학적으로 불안정한 특성을 보인다. 일반적으로 Ge oxide는 컨트롤하기 어려워 Solar cell을 제작 시 식각을 통해 Ge oxide를 제거 한 뒤 PECVD를 이용하여 amorphous silicon (a-si)을 증착하여 passivation layer로 사용한다. Passivation layer를 사용할 경우 carrier life time을 증가시켜 Solar cell의 중요한 특성인 short circuit current를 증가시킨다. 본 연구는 Solar cell의 short circuit current를 증가시키기 위하여 Ge oxide를 Ge Solar cell의 passivation layer로 적용시켰다. 그 결과 Jsc는 17.89 mA/cm2에서 22.15 mA/cm2로 증가하였고 0.8%였던 효율은 1.2%까지 증가시킬 수 있었다. Ge의 n-doping 농도를 확인하기 위하여 secondary ion mass spectrometry (SIMS)를 이용하였으며, Solar cell의 current-voltage (I-V) parameter는 solar simulator를 이용하여 측정하였다. |
| 저자 | 추혁성, 서동완, 나지훈, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | Germanium solar cell; Germanium oxide; SIMS; Solar simulator |
| 원문파일 | 초록 보기 |
