| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2010년 가을 (10/07 ~ 10/08, 대구 EXCO) |
| 권호 | 35권 2호 |
| 발표분야 | 분자전자소재 및 소자 |
| 제목 | 박막 트랜지스터용 절연막 합성 및 특성연구 |
| 초록 | 미래형 박막 트랜지스터(TFT)는 저온 공정 및 인쇄전자형태로 발전될 가능성이 많으며 실질적인 적용에는 높은 이동도, 높은 점멸비, 저구동전압 등이 요구되고 있다. 낮은 구동전압을 구현하기 위해서는 높은 유전 상수의 절연물질과 절연막 두께를 나노미터 스케일 정도로 얇게 구현하는 것이 요구된다. 본 연구에서는 유기물 및 무기물의 이용해 절연물질을 합성하였고, Dip-coating법을 통해 절연막을 수십 nm두께로 형성한 TFT소자를 제작하였다. 실리콘 웨이퍼 또는 투명 전도성 기판을 플라즈마 표면처리를 하여 사용하였고, TFT특성을 유기 반도체인 pentacene 또는 무기 반도체를 적층하여 조사하였다. 연구결과 25nm두께의 유기 절연층을 포함한 TFT 소자는 2V 이내에서 구동이 가능하였고, 이동도 역시 개선되는 결과를 보였다. |
| 저자 | 이진호, 김홍두, 유에단 |
| 소속 | 경희대 |
| 키워드 | OTFT; Dielectrics; Dip-coating; |
