- 신규한 폴리우레탄 화합물 및 이를 포함하는 반사방지막 조성물
- 국제 특허분류 : C08G-018/38, C08G-018/79, C09D-175/04, G03F-007/09
- 출원번호/일자 : 10-2015-0118630 (2015/08/24)
- 공개번호/일자 : (1970/01/01)
- 출원인 : 로움하이텍 주식회사
- 본 발명은 반도체 리소그라피 공정 중 기판에서 반사되는 빛을 최소함으로써 포토레지스트의 패턴 형상 불량 발생 가능성을 최소화하기 위한 신규한 폴리우레탄 고분자 화합물 및 이를 포함하는 반사 방지막 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 신규한 폴리우레탄 고분자 화합물은 굴절률이 높고, 에칭속도가 빠르면서 코팅물성이 뛰어난 특징이 있다. 본 발명의 반사방지막 조성물은 상기 폴리우레탄 고분자 화합물을 포함함으로써, 두께가 얇고 균일한 반사 방지막의 제조가 가능하며 유기용매에 대해 용해성을 가지지 않아 포토레지스트의 패턴 형상 불량 발생 가능성을 최소화할 수 있다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
