화학공학소재연구정보센터
  • 포스핀 옥사이드 매트릭스 및 금속 도펀트를 포함하는 n-도핑된 반도전성 물질
  • 국제 특허분류 : H01L-051/50, C07F-009/53, C07F-009/572, C07F-009/64, C07F-009/655, C07F-009/6558, H01L-051/00
  • 출원번호/일자 : 10-2016-7020171 (2016/07/22)
  • 공개번호/일자 : 10-2016-0102529 (2016/08/30)
  • 출원인 : 노발레드 게엠베하
  • 본 발명의 n-도펀트로서 적어도 하나의 금속성 원소, 및 적어도 하나의 포스핀 옥사이드 기를 포함하는 적어도 하나의 전자 수송 매트릭스 화합물을 포함하는 전기적으로 도핑된 반도전성 물질, 이의 제조 방법, 및 전기적으로 도핑된 반도전성 물질을 포함하는 전자 디바이스에 관한 것이다.
  • 원문링크 : KISTI NDSL