- 크랙 치유 고분자를 포함하는 크랙 센서 및 이를 포함하는 전자 소자
- 국제 특허분류 : G01N-027/70, C08L-101/12
- 출원번호/일자 : 10-2017-0024828 (2017/02/24)
- 공개번호/일자 : 10-2018-0097969 (2018/09/03)
- 출원인 : 성균관대학교산학협력단, 아주대학교산학협력단
- 본 발명의 일실시예인 크랙 센서는 기판, 상기 기판 상에 위치되고, 크랙을 포함한 전도성층 및 상기 기판과 상기 전도성층 사이에 형성되거나, 상기 전도성층 상에 위치되는 고분자층을 포함하며, 상기 고분자층의 복원력을 통하여, 상기 크랙의 추가 성장을 억제하고, 크랙을 복원한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
