- 실리콘 박판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지
- 국제 특허분류 : C01B-033/02, C23C-014/00, C23C-014/18, C23C-016/01, C23C-016/24, H01M-010/0525, H01M-004/36, H01M-004/38
- 출원번호/일자 : 10-2017-0094414 (2017/07/25)
- 공개번호/일자 : 10-2019-0011635 (2019/02/07)
- 출원인 : 울산과학기술원
- 실리콘 박판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것으로, 두께가 500nm 이하이고, 비표면적이 15 m 2 /g 이하인 실리콘(Si) 박판을 제공한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
