- 단결정 잉곳 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 잉곳의 성장 방법
- 국제 특허분류 : C30B-030/04, C30B-015/08, C30B-015/20
- 출원번호/일자 : 10-2017-0101488 (2017/08/10)
- 공개번호/일자 : (1970/01/01)
- 출원인 : 에스케이실트론 주식회사
- 실시 예는 자기장의 MGP가 용융액의 표면의 상측에 위치한 상태에서 바디를 성장시키는 바디 성장 단계; 및 바디 성장 단계 완료 후 테일을 성장시키는 테일 성장 단계를 포함하고, 상기 테일 성장 단계에서는 상기 테일 성장 단계 진입과 동시에 용융액 표면이 하강하는 제1 속도에 기초하여 MGP의 위치를 제2 속도로 하강시키고, 테일 성장 단계 동안 MGP는 용융액에 상측에 위치한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
