- 양이온 교환막 제조방법 및 이로부터 제조된 양이온 교환막
- 국제 특허분류 : C08J-005/22, C08J-003/24
- 출원번호/일자 : 10-2018-0000827 (2018/01/03)
- 공개번호/일자 : (1970/01/01)
- 출원인 : 상명대학교 천안산학협력단
- 본 발명은 방향족기 함유 불포화 단량체; 글리시딜기 함유 불포화 단량체; 및 가교제;를 포함하는 단량체 혼합물을 다공성 고분자기재의 기공에 충진하는 단계; 충진된 단량체를 중합하여 작용기가 도입된 고분자 기재를 제조하는 단계; 상기 작용기가 도입된 고분자 기재의 표면에 킬레이팅 작용기를 도입하는 단계; 및 킬레이팅 작용기가 도입된 고분자 기재의 표면에 술폰기를 도입하는 단계;를 포함하는 양이온 교환막 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 의한 방법으로 제조된 양이온 교환막은 다가 이온의 선택적 투과능이 우수한 장점이 있다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
