- 불소 도핑된 산화주석 투명전극 및 이의 제조방법
- 국제 특허분류 : H01B-005/14, C23C-018/04, C23C-018/12, H01B-013/00, H01L-031/0224
- 출원번호/일자 : 10-2018-0064136 (2018/06/04)
- 공개번호/일자 : 10-2019-0138051 (2019/12/12)
- 출원인 : 서울과학기술대학교 산학협력단
- 본 발명은, 불소 도핑된 산화주석 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 불소 도핑된 산화주석(FTO) 막; 을 포함하고, 상기 불소 도핑된 산화주석(FTO) 막은, 연소 활성제로 활성화된 것인, 투명전극 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
