- 삼중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질 및 그 제조 방법
- 국제 특허분류 : H01M-008/1246, C01G-029/00, C01G-041/00, H01M-004/90, H01M-008/124
- 출원번호/일자 : 10-2018-0132910 (2018/11/01)
- 공개번호/일자 : 10-2020-0050201 (2020/05/11)
- 출원인 : 재단법인대구경북과학기술원
- 본 발명은 구조적 안정성이 강화되어 700 ℃ 이하의 온도에서 장시간 구동되어도 높은 이온전도도를 가지는 삼중도핑 안정화 산화비스무트(SBO: Stabilized Bismuth Oxide)계 전해질 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예는, 산화비스무트에 1차 도펀트로서 어븀산화물(Er 2 O 3 ), 2차 도펀트로서 A 금속원소의 산화물과 3차 도펀트로서 B 금속원소의 산화물이 도핑된 A x B y Er z Bi 2-(x+y+z) O 3+δ 의 화학식을 가지고, 상기 x 또는 y는 0.001 내지 0.1의 실수이고, z는 0.1 내지 0.5의 실수이며, 상기 δ는 0 초과 3 미만인 삼중도핑 안정화 산화비스무트계 전해질을 제공한다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
