- 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터 및 그 제조방법
- 국제 특허분류 : H01C-007/112, C04B-035/453, C04B-035/626, H01B-003/10, H01C-017/00, H01C-017/30, H01C-007/18
- 출원번호/일자 : 10-2019-0020560 (2019/02/21)
- 공개번호/일자 : (1970/01/01)
- 출원인 : 동의대학교 산학협력단
- 본 발명은 항복전압 전압 이하에서는 매우 높은 저항값을 나타내지만, 그 이상에서는 낮은 저항 값을 보이며, 특정한 이트리아 첨가량에서 비선형 특성이 아주 우수하고, 높은 계면상태밀도와 높은 전위장벽 높이 값을 나타내는 것을 특징으로 하는 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 또한, 화학적 결함(chemical defect) 반응에 기초하여 도너(donor)로 작용할 수 있는 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 상기 이트리아가 첨가된 산화아연-바나디아계 바리스터를 이용하여 칩 바리스터를 제공할 수 있다.
- 원문링크 : KISTI NDSL
