- 단결정성 박막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 물품
- 국제 특허분류 : C23C-014/16, C21D-006/00, C22C-038/10, C23C-014/02, C23C-014/24, C30B-030/00, H01L-039/08, H01L-039/12, H01L-039/24
- 출원번호/일자 : 10-2019-0127641 (2019/10/15)
- 공개번호/일자 : 10-2020-0050862 (2020/05/12)
- 출원인 : 한국전기연구원
- 본 발명은 결정배향성이 우수한 단결정성 박막과 이의 제조방법, 단결정성 박막을 포함하는 반도체 소자, 전지 소자, 초전도선재 및 초전도 물품에 관한 것이다.이러한 본 발명은, 다결정의 제1 물질로 형성된 기판의 상부에 다결정의 제2 물질이 증착되어 형성되고, 결정립계에서의 결정배향성이 하기 관계식 1을 만족하는 것을 특징으로 하는 단결정성 박막과 이의 제조방법, 단결정성 박막을 포함하는 반도체 소자, 전지 소자, 초전도선재 및 초전도 물품을 기술적 요지로 한다.[관계식 1]0°< FWHM2 ≤ 3°(단, FWHM2는 박막 결정립계에서의 결정방위차 각도(misorientation angle) 분포곡선의 반가폭(full width at half maximum)이다.)
- 원문링크 : KISTI NDSL
