검색결과 : 3건
| No. | Article |
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| 1 |
실리콘 및 사파이어 기판을 이용한 알루미늄의 양극산화 공정에 관한 연구 김문자, 이진승, 유지범 Korean Journal of Materials Research, 14(2), 133, 2004 |
| 2 |
AIN과 저온 GaN 완충층을 이용한 Si 기판상의 후막 GaN 성장에 관한 연구 백호선, 이정욱, 김하진, 유지범 Korean Journal of Materials Research, 9(6), 599, 1999 |
| 3 |
MOCVD를 이용한 비평면구조 기판에서의 GaN 션택적 성장특성연구 이재인, 금동화, 유지범 Korean Journal of Materials Research, 9(3), 257, 1999 |