검색결과 : 4건
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게이트 하부 식각 구조 및 HfO 2 절연층이 도입된 AlGaN/GaN 기반 전계 효과 트랜지스터 김유경, 손주연, 이승섭, 전주호, 김만경, 장수환 Korean Chemical Engineering Research, 60(2), 313, 2022 |
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P형 GaN 중간층이 삽입된 녹색 발광다이오드 특성 평가 김은진, 김지민, 장수환 Korean Chemical Engineering Research, 54(2), 274, 2016 |
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유연성 폴리이미드 기판 위의 금 나노망 김현웅, 백광현, 김지현, 장수환 Korean Chemical Engineering Research, 51(2), 292, 2013 |
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질화갈륨계 고전자이동도 트랜지스터에 대한 불소계 고분자 보호막의 영향 장수환 Korean Chemical Engineering Research, 48(4), 511, 2010 |