검색결과 : 2건
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고분자 발광다이오드에서 공액고분자 전해질 전자수송층에 의해 변화되는 전자주입 메카니즘 엄성수, 박주현 Polymer(Korea), 36(4), 519, 2012 |
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Gate line edge roughness amplitude and frequency variation effects on intra die MOS device characteristics Hamadeh E, Gunther NG, Niemann D, Rahman M Solid-State Electronics, 50(6), 1156, 2006 |